Янчук Іванна Володимирівна - Кафедра будівництва

1. Новак Є.В., Янчук І.В., Собко Ю.Т. Організація будівництва: консп. лекцій. – Чернівці: Чернівец. нац. ун-т імені Юрія Федьковича. – 2022. – 104 с.

2. Сумарюк О.В., Янчук І.В., Галунка О.Д. Діагностика будівельних матеріалів і конструкцій. Частина 1 Основи бетонознавства. – Чернівці: Рута, 2021. – 92 с.

3. Янчук І.В., Галунка О.Д., Сумарюк О.В. Метрологія та стандартизація. – Чернівці: Рута, 2021. – 104 с.

Фахові видання

1. Serhiy Balovsyak, Nazar Hrynyk, Zhengbing Hu, Khrystyna Odaiska, Ivanna Yanchuk. Improving accuracy of photogrammetry method using image segmentation by YOLO neural networks // IntelITSIS 2025: 6th International Workshop on Intelligent Information Technologies & Systems of Information Security with CEUR-WS, April 4, 2025. – Khmelnytskyi, Ukraine. – CEUR Workshop Proceedings / Edited by Tetiana Hovorushchenko, Oleg Savenko, Peter T. Popov, Sergii Lysenko, 2025. – P. 125-138.

2. Information system for neural network analysis of X-ray moiré images using wavelet filtering / I. Fodchuk, M. Borcha, I. Yanchuk // Proc. SPIE, Sixteenth International Conference on Correlation Optics. – 2023. – Vol. 12938. – P. 129382K-1 – 129382K-4. https://doi.org/10.1117/12.3016096

3. Peculiarities of formation of X-ray moiré images on deformation fields created by set of concentrated forces / I. Fodchuk, Y. Roman, S. Balovsyak, S. Romanyuk, I. Yanchuk, A. Kuzmin, M. Solodkyi, P. Lytvyn // Proc. of SPIE, Fifteenth International Conference on Correlation Optics – 2021. – Vol. 12126. – P. 121261I1-7. https://doi.org/10.1117/12.2617083

4. Fodchuk I.M. Reconstruction of spatial distribution of strains in crystals using the energy spectrum of X-ray Moire patterns. / I.M. Fodchuk, S.N. Novikov, S.V. Balovsyak, I.V. Yanchuk, V.F. Romankevych // Ukr. J. Phys. Opt. – 2020. – Vol. 21, No. 3. – P. 141-151.

5. Fodchuk I.M. Direct and inverse problems in X-ray three-crystal triple Laue case interferometry. / I.M. Fodchuk, S.N. Novikov, I.V. Yaremchuk // Applied optics. – 2016. – Vol. 55, No. 12. – P. B120-B125.

6. Fodchuk I.M. The Features of X-Ray Topographic Contrast Formation in Silicon with Dislocation Clusters. / I.M. Fodchuk, S.N. Novikov, D.G. Fedortsov, A.Ya. Struk, I.V. Yaremchuk // Crystallography Reports. – 2013. – Vol. 58, No. 7. – P. 976–983.

7. Баловсяк С.В. Спосіб визначення величини деформаційних полів кристала на основі Х-променевого муарового зображення в кремнієвому LLL-інтерферометрі. / С.В. Баловсяк, П.М. Литвин, І.М. Фодчук, І.В. Яремчук // Патент на корисну модель 121378 Україна, МПК G01T 1/16, G06F 17/00, G06F 17/17. Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича (UA). – №u201702011; заяв. 02.03.2017; опубл. 11.12.2017, Бюл. №23/2017.